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STU2N105K5

Name: STMicroelectronics STU2N105K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU2N105K5
Price: 1.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STU2N105K5

Herst.- Nr.:

STU2N105K5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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Datenblatt:

STU2N105K5 Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.05 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.5 ns
Serie:	STU2N105K5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14.5 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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Datenblatt

STU2N105K5 Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
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