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STQ2NK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2NK60ZR-AP
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STQ2NK60ZR-AP

Herst.- Nr.:

STQ2NK60ZR-AP

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	400 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperMESH
Verpackung:	Ammo Pack
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	25 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	STQ2NK60ZR-AP
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	453,600 mg