STQ1NK60ZR-AP

STMicroelectronics
511-STQ1NK60ZR-AP
STQ1NK60ZR-AP

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET i

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
300 mA
15 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
4.9 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
SuperMESH
Ammo Pack
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 0.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: STQ1NK60ZR
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.5 ns
Gewicht pro Stück: 453,600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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