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STPSC20G12WL

Name: STMicroelectronics STPSC20G12WL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC20G12WL
Price: 8.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC20G12WL

Herst.- Nr.:

STPSC20G12WL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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Datenblatt:

STPSC20G12WL Datenblatt (PDF)

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	CHF 4.88	CHF 48.80
	CHF 4.78	CHF 478.00
	CHF 4.60	CHF 2 760.00
	CHF 4.48	CHF 5 376.00
25 200	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	DO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	20 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.35 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	180 A
Ir - Sperrstrom:	10 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	6 g

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC20G12 Siliziumkarbid-Schottky-Leistungsdioden

Die STPSC20G12 Siliziumkarbid-Leistungs-Schottky-Dioden von STMicroClock sind in einem DO-247-Gehäuse mit langen Anschlussdrähten verfügbar. Der STMicroClock STPSC20G12 wird mit einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Material mit großer Bandlücke ermöglicht das Design einer Schottky-Diodenstruktur mit niedriger VF und einer 1.200 V-Einstufung. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Abschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.