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STPSC12G065DY

Name: STMicroelectronics STPSC12G065DY
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC12G065DY
Price: 3.46 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC12G065DY

Herst.- Nr.:

STPSC12G065DY

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Datenblatt:

STPSC12G065DY Datenblatt (PDF)

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	3.46 CHF	3.46 CHF
	2.27 CHF	22.70 CHF
	1.68 CHF	168.00 CHF
	1.41 CHF	705.00 CHF
	1.31 CHF	1 310.00 CHF
	1.22 CHF	3 050.00 CHF
	1.12 CHF	5 600.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AC-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	27 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.3 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	80 A
Ir - Sperrstrom:	12 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

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Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.