STPSC10TH13TI

STMicroelectronics
511-STPSC10TH13TI
STPSC10TH13TI

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-220-3
Dual
10 A
650 V
1.56 V
470 A
425 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.

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