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STP11NM60ND

Name: STMicroelectronics STP11NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP11NM60ND
Price: 4.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP11NM60ND

Herst.- Nr.:

STP11NM60ND

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	90 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	FDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	STP11NM60ND
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Gewicht pro Stück:	2 g