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STO36N60M6

Name: STMicroelectronics STO36N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO36N60M6
Price: 5.12 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STO36N60M6

Herst.- Nr.:

STO36N60M6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STO36N60M6 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5.12 CHF	5.12 CHF
	3.43 CHF	34.30 CHF
	2.47 CHF	247.00 CHF
	2.30 CHF	1 150.00 CHF
	2.13 CHF	2 130.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	2.13 CHF	3 834.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	99 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	44.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	230 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.3 ns
Serie:	MDmesh M6
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15.2 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

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PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Q_g) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.