STL9P3LLH6

STMicroelectronics
511-STL9P3LLH6
STL9P3LLH6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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0.857 CHF 8.57 CHF
0.569 CHF 56.90 CHF
0.447 CHF 223.50 CHF
0.408 CHF 408.00 CHF
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
P-Channel
1 Channel
30 V
9 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: SG
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
Abfallzeit: 18 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 93 ns
Serie: STL9P3LLH6
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13.2 ns
Gewicht pro Stück: 20 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STL9P3LLH6 p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STL9P3LLH6 p-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein -30V, 12mΩ  MOSFET, entwickelt unter Verwendung der STripFET™ H6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur. Dieser MOSFET verfügt über eine sehr geringe Gatter-Ladung, Verlustleistung und eine hohe Avalanche-Robustheit. Der STL9P3LLH6 MOSFET ist in einem 3,3x3,3 Gehäuse untergebracht und weist einen sehr geringen RDS(on) für alle Gehäuse auf. Diese MOSFETs werden für Schaltanwendungen verwendet.