STL8N10LF3

STMicroelectronics
511-STL8N10LF3
STL8N10LF3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III

ECAD Model:
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0.94 CHF 94.00 CHF
0.751 CHF 375.50 CHF
0.719 CHF 719.00 CHF
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
7.8 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20.5 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
Abfallzeit: 5.2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9.6 ns
Serie: STL8N10LF3
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.7 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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