STL320N4LF8

STMicroelectronics
511-STL320N4LF8
STL320N4LF8

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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Preis (CHF)

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CHF 1.55 CHF 15.50
CHF 1.14 CHF 114.00
CHF 0.951 CHF 475.50
CHF 0.826 CHF 826.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.784 CHF 2 352.00
CHF 0.783 CHF 4 698.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
40 V
360 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
2 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: STripFET F8
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.

STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics  STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET  wird mit STRipFET F8 Trench MOSFET Technologie hergestellt. Das Gerät ist vollständig für den industriellen Einsatz qualifiziert. Die STL320N4LF8 reduziert den On-Widerstand und die Schaltverluste und optimiert gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Drain-Diode. Der MOSFET spart Energie und sorgt für ein geringes Rauschen in Schaltungen zur Leistungsumwandlung und Motorsteuerung.