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STL31N65M5

Name: STMicroelectronics STL31N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL31N65M5
Price: 3.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL31N65M5

Herst.- Nr.:

STL31N65M5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

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Datenblatt:

STL31N65M5 Datenblatt (PDF)

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.97	CHF 3.97
	CHF 2.64	CHF 26.40
	CHF 1.99	CHF 199.00
	CHF 1.86	CHF 930.00
	CHF 1.59	CHF 1 590.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.50	CHF 4 500.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8x8-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	162 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.5 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	Mdmesh M5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	46 ns
Gewicht pro Stück:	180 mg

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Datenblatt

STL31N65M5 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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