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STL25N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STL25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL25N60M2-EP
Price: 1.1 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL25N60M2-EP

Herst.- Nr.:

STL25N60M2-EP

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8

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Datenblatt:

STL25N60M2-EP Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8x8-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	206 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	16 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	STL25N60M2-EP
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	180 mg

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Datenblatt

STL25N60M2-EP Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129010
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

STL25N60M2-EP n-Kanal-Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STL25N60M2-EP n-Kanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über ein Powerflat™-8x8-HV-Gehäuse und wurden mit der MDmesh™-M2-EP-Hochleistungstechnologie entwickelt. Es verfügt über ein Streifenlayout und eine verbesserte vertikale Struktur für niedrigen On-Widerstand und optimierte Schalteigenschaften. Aufgrund der sehr niedrigen Schaltverluste ist er für anspruchsvolle Hochfrequenzwandler geeignet.
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