STL20N6F7

STMicroelectronics
511-STL20N6F7
STL20N6F7

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.24 CHF 1.24
CHF 0.778 CHF 7.78
CHF 0.516 CHF 51.60
CHF 0.408 CHF 204.00
CHF 0.367 CHF 367.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.31 CHF 930.00
CHF 0.286 CHF 1 716.00
CHF 0.285 CHF 2 565.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7.8 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 17.6 ns
Serie: STL20N6F7
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 24.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Gewicht pro Stück: 20 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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