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STL170N4LF8

Name: STMicroelectronics STL170N4LF8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL170N4LF8
Price: 1.32 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL170N4LF8

Herst.- Nr.:

STL170N4LF8

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET

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Datenblatt:

STL170N4LF8 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.32 CHF	1.32 CHF
	0.931 CHF	9.31 CHF
	0.698 CHF	69.80 CHF
	0.604 CHF	302.00 CHF
	0.565 CHF	565.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.449 CHF	1 347.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	167 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	34.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	111 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Serie:	STripFET F8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.