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STL110N10F7

Name: STMicroelectronics STL110N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL110N10F7
Price: 2.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL110N10F7

Herst.- Nr.:

STL110N10F7

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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Datenblatt:

STL110N10F7 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.43 CHF	2.43 CHF
	1.58 CHF	15.80 CHF
	1.09 CHF	109.00 CHF
	0.881 CHF	440.50 CHF
	0.841 CHF	841.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.781 CHF	2 343.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	5 W
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	IT
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STL110N10F7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

STL110N10F7 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

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Die STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs Serie verfügt über eine erweiterte Trench-Gate-Struktur mit schneller und effizienter Schaltung für vereinfachtes Design und reduzierte Ausrüstungsgröße und Kosten. Niedriger Durchlasswiderstand kombiniert mit niedrigen Schaltverlusten bei gleichzeitiger Reduzierung der inneren Kapazitäten und der Gate-Ladung. Sie eignen sich hervorragend für Synchrongleichrichterschaltungen und verfügen über ein optimales Crss/Ciss-Kapazitätsverhältnis für die niedrigste EMI. Die STripFET F7 verfügen über eine hohe Avalanche-Robustheit.
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