STL110N10F7

STMicroelectronics
511-STL110N10F7
STL110N10F7

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 656

Lagerbestand:
656
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
3 339
erwartet ab 13.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
26
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.39 CHF 2.39
CHF 1.54 CHF 15.40
CHF 1.10 CHF 110.00
CHF 0.923 CHF 461.50
CHF 0.859 CHF 859.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.75 CHF 2 250.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
21 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
5 W
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: STL110N10F7
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 76 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
Weitere Informationen

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Die STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs Serie verfügt über eine erweiterte Trench-Gate-Struktur mit schneller und effizienter Schaltung für vereinfachtes Design und reduzierte Ausrüstungsgröße und Kosten. Niedriger Durchlasswiderstand kombiniert mit niedrigen Schaltverlusten bei gleichzeitiger Reduzierung der inneren Kapazitäten und der Gate-Ladung. Sie eignen sich hervorragend für Synchrongleichrichterschaltungen und verfügen über ein optimales Crss/Ciss-Kapazitätsverhältnis für die niedrigste EMI. Die STripFET F7 verfügen über eine hohe Avalanche-Robustheit.
Weitere Informationen