STGY80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGY80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGY80H65DFB
Price: 10.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGY80H65DFB

Herst.- Nr.:

STGY80H65DFB

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Lagerbestand:: 28 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Bestellmengen größer als 28 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	10.42 CHF	10.42 CHF
	7.36 CHF	73.60 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	Max247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.9 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	469 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGY80H65
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	80 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	5 g