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STGWA50IH65DF

Name: STMicroelectronics STGWA50IH65DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50IH65DF
Price: 3.87 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA50IH65DF

Herst.- Nr.:

STGWA50IH65DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo

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Datenblatt:

STGWA50IH65DF Datenblatt (PDF)

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	3.87 CHF	3.87 CHF
	2.57 CHF	25.70 CHF
	1.83 CHF	183.00 CHF
	1.78 CHF	1 068.00 CHF
	1.61 CHF	1 932.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	300 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	HB2
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	100 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,100 g

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Datenblatt

STGWA50IH65DF Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IH-Baureihe 650-V-IGBTs

STMicroelectronics IH-Baureihe 650-V-IGBTs bieten einen hohen Wirkungsgrad für Induktionserwärmungssysteme und weiche Schaltapplikationen. Die IGBTs gehören zur STPOWER™-Produktfamilie, die über die HB-Baureihe hinausgeht, die zur Zeit für Induktionserwärmungsapplikationen verwendet wird. Aufgrund einer niedrigeren V_CE(sat) zusammen mit einer sehr geringen Ausschaltenergie sorgt die 650-V-IH-Baureihe für einen erhöhten Wirkungsgrad in Endapplikationen. Es gibt 40-A- und 50-A-Bauteile, die bereits in TO-247-Gehäusen mit langen Leitungen verfügbar sind. 20-A- und 30-A-Bauteile befinden sich in der Entwicklungsphase.

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.