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STGWA40H120DF2

Name: STMicroelectronics STGWA40H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40H120DF2
Price: 4.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA40H120DF2

Herst.- Nr.:

STGWA40H120DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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Datenblatt:

STGWA40H120DF2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	468 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGWA40H120DF2
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	80 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	38 g

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Datenblatt

STGWA40H120DF2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

1200V H-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics sind Hochgeschwindigkeits-IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über eine 5μs Kurzschlussfestigkeits-Widerstandszeit bei T_J=150°C, ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (V_CE(sat)) hinunter bis zu 2,1V (Typ.), was Energieverluste während des Schaltens und Einschaltens minimiert. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb. Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie sind ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißmaschinen, Photovoltaik-Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur und Hochfrequenz-Wandler.
Weitere Informationen

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.