STGWA20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA20M65DF2
STGWA20M65DF2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead

Lebenszyklus:
NRND:
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CHF 1.08 CHF 3 240.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
HB2
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 40 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IH-Baureihe 650-V-IGBTs

STMicroelectronics IH-Baureihe 650-V-IGBTs bieten einen hohen Wirkungsgrad für Induktionserwärmungssysteme und weiche Schaltapplikationen. Die IGBTs gehören zur STPOWER™-Produktfamilie, die über die HB-Baureihe hinausgeht, die zur Zeit für Induktionserwärmungsapplikationen verwendet wird. Aufgrund einer niedrigeren VCE(sat) zusammen mit einer sehr geringen Ausschaltenergie sorgt die 650-V-IH-Baureihe für einen erhöhten Wirkungsgrad in Endapplikationen. Es gibt 40-A- und 50-A-Bauteile, die bereits in TO-247-Gehäusen mit langen Leitungen verfügbar sind. 20-A- und 30-A-Bauteile befinden sich in der Entwicklungsphase.