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STGWA20IH65DF

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA20IH65DF

Herst.- Nr.:

STGWA20IH65DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo

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Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STGWA20IH65DF Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.95 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	40 A
Pd - Verlustleistung:	159 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	IH
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	20 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,100 g

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STGWA20IH65DF 20-A-Soft-Switching-IGBT mit 650 V

Der STMicroelectronics STGWA20IH65DF 20-A-Soft-Switching-IGBT (Isolierter Gate-Bipolartransistor) mit 650 V verfügt über einen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau und ist sowohl in Leitungs- als auch Schaltverlusten für eine weiche Kommutierung optimiert. Eine Freilaufdiode mit einem geringen Durchlass-Spannungsabfall ist enthalten. Das Ergebnis ist ein Bauteil, das speziell zur Maximierung des Wirkungsgrads für Resonanz- und Soft-Switching-Applikationen ausgelegt ist.