STGP8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGP8M120DF3
STGP8M120DF3

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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2.26 CHF 226.00 CHF
2.01 CHF 1 005.00 CHF
1.78 CHF 1 780.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 8 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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