STGFW30V60DF

STMicroelectronics
511-STGFW30V60DF
STGFW30V60DF

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

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End-of-Life-Produkt :
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Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PF
Through Hole
Single
600 V
1.85 V
- 20 V, 20 V
60 A
58 W
- 55 C
+ 175 C
STGFW30V60DF
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 7 g
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5-1013-36

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.