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STGAP2SICSC

Name: STMicroelectronics STGAP2SICSC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGAP2SICSC
Price: 4.31 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGAP2SICSC

Herst.- Nr.:

STGAP2SICSC

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

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Datenblatt:

STGAP2SICSC Datenblatt (PDF)

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	3.29 CHF	32.90 CHF
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	2.68 CHF	268.00 CHF
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	2.52 CHF	2 016.00 CHF
	2.39 CHF	5 736.00 CHF
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

STGAP2SICSCTR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

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Herst.:

STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STGAP2SICSCTR

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	STGAP2SICS
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8W
Isolierungsspannung:	5 kV
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	90 ns
Anstiegszeit:	30 ns
Abfallzeit:	30 ns
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Non-Inverting
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC
Typ:	Half-Bridge
Gewicht pro Stück:	150 mg

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Datenblatt

STGAP2SICSC Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STGAP2SICS Einzel-Gate-Treiber

STMicroelectronics STGAP2SICS Einzel-Gate-Treiber bieten eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerung sowie der Schnittstellenschaltung. Die Gate-Treiber zeichnen sich durch eine Leistung von 4 A und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch sich die Bauteile auch für Applikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Leistungsumwandlung und Motortreiber-Wechselrichter in Industrieapplikationen eignen. Das Bauteil ist in zwei verschiedenen Konfigurationen verfügbar. Die Konfiguration mit separaten Ausgangspins (STGAP2SICSTR) ermöglicht die unabhängige Optimierung von Einschalt- und Ausschaltvorgängen mit dedizierten Gate-Widerständen. Die Konfiguration umfasst einen Einfachausgangs-Pin und eine Miller-Klemmfunktion (STGAP2SICSCTR) verhindert Gate-Spitzen während schneller Kommutierung in Halbbrückentopologien. Beide Konfigurationen bieten eine hohe Flexibilität und eine Reduzierung der BOM für externe Komponenten.

STGAP2SiCD Galvanisch getrennter Dual-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STGAP2SiCD galvanisch getrennte 4-A-Dual-Gate-Treiber ist für eine galvanische Trennung zwischen jedem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerung sowie der Schnittstellenschaltung ausgelegt. Der STGAP2SiCD Gate-Treiber zeichnet sich durch eine Strombelastbarkeit von 4 A und Rail-to-Rail-Ausgänge aus und eignet sich hervorragend für Applikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Leistungsumwandlung und Industriemotortreiber-Wechselrichter.