Zum Hauptinhalt wechseln

+41 41 763 01 50

Teil der TTI Family of Specialists Kontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +41 41 763 01 50 Feedback

Standort wählen

Auf Lager

RoHS

Login
Neuer Kunde? Hier starten
Login
Neuer Kunde? Hier starten

Bestellhistorie

Herst.	Herst.- Nr.:	Menge	Endpreis

Warenkorb ansehen

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STF30NM60ND

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF30NM60ND

Herst.- Nr.:

STF30NM60ND

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch, 600V-0.11ohms FDMesh 25A

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STF30NM60ND Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	75 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	50 ns
Serie:	STB30NM60ND
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STF30NM60ND Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.