STDRIVEG600TR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600TR
STDRIVEG600TR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

ECAD Model:
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
3.32 CHF 3.32 CHF
2.52 CHF 25.20 CHF
2.31 CHF 57.75 CHF
2.09 CHF 209.00 CHF
1.99 CHF 497.50 CHF
1.98 CHF 990.00 CHF
1.85 CHF 1 850.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
1.81 CHF 4 525.00 CHF
1.79 CHF 8 950.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
3.94 CHF
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Logiktyp: CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 520 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Italien
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics   STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs.