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STDRIVE601

Name: STMicroelectronics STDRIVE601
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVE601
Price: 6.02 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVE601

Herst.- Nr.:

STDRIVE601

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber Triple half-bridge high-voltage gate driver

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Datenblatt:

STDRIVE601 Datenblatt (PDF)

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	CHF 6.02	CHF 6.02
	CHF 4.58	CHF 45.80
	CHF 4.26	CHF 106.50
	CHF 3.75	CHF 375.00
	CHF 3.56	CHF 890.00
	CHF 2.68	CHF 1 340.00
	CHF 2.66	CHF 1 862.00
	CHF 2.59	CHF 7 252.00
5 600	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	3-Phase / Three Phase
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-28
Anzahl der Treiber:	3 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	200 mA
Versorgungsspannung - Min.:	9 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	120 ns
Abfallzeit:	50 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	STDRIVE601
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Entwicklungs-Kit:	EVALSTDRIVE601
Kenndaten und Eigenschaften:	Integrated Bootstrap Diodes
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	120 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	120 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	950 uA
Ausgangsspannung:	580 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	85 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	46 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	700
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

STDRIVE601 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVE601 Triple-Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STDRIVE601 Triple-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Hochspannungsbauteil, das mit der BCD6-Offline-Technologie hergestellt wird. Das Bauteil ist ein Einzelchip mit drei Halbbrücken-Gate-Treibern für n-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs, der sich für 3-Phasen-Applikationen eignet. Alle Ausgänge des Bauteils können als 350 mA bzw. 200 mA Senke und Quelle fungieren. Ein Querstrom wird durch die Verriegelungs- Totzeitfunktion verhindert. Das Bauteil verfügt über dedizierte Eingangspins für jeden Ausgang und einen Abschaltpin. Die Logikeingänge sind für die einfache Anbindung an Steuerungsbauteile bis zu 3,3 V CMOS/TTL-kompatibel. Angepasste Verzögerungen zwischen den Low-Side- und High-Side-Bereichen verhindern eine Tastverhältnis-Verzerrung und ermöglichen den Betrieb bei hohen Frequenzen.