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STD9N60M2

Name: STMicroelectronics STD9N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD9N60M2
Price: 1.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD9N60M2

Herst.- Nr.:

STD9N60M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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Datenblatt:

STD9N60M2 Datenblatt (PDF)

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.42 CHF	1.42 CHF
	0.904 CHF	9.04 CHF
	0.604 CHF	60.40 CHF
	0.476 CHF	238.00 CHF
	0.434 CHF	434.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.389 CHF	972.50 CHF
	0.349 CHF	1 745.00 CHF
	0.336 CHF	3 360.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	780 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.5 ns
Serie:	STD9N60M2
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.8 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD9N60M2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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