STD8N65M5

STMicroelectronics
511-STD8N65M5
STD8N65M5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.58 CHF 2.58
CHF 1.68 CHF 16.80
CHF 1.20 CHF 120.00
CHF 1.02 CHF 510.00
CHF 0.932 CHF 932.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.85 CHF 2 125.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
7 A
560 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: Mdmesh M5
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics offers a variety of new high-performance N-channel power MOSFETs. The STmicroelectronics STD8N65M5 and STP8N65M5 are N-channel 650V, 0.56Ω, 7A MDmesh™ V power MOSFETs. The STD8N65M5 comes in a DPAK package while the STP8N65M5 comes in a TO-220. The STL17N3LLH6 is an N-channel 30V, 17A STripFET™ VI DeepGATE power MOSFET that exhibits the lowest on-resistance in a standard package. The STMicroelectronics STL85N6F3 N-channel, 60V STripFET™ 2 power MOSFET shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. The STP34NM60N N-channel second generation MDmesh MOSFET features low input capacitance and gate charge, making it suitable for the most demanding high efficiency converters.

N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh™ V, eine revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die auf einem innovativen proprietären vertikalen Prozess basiert, der mit STMicroelectronics branchenbekannter horizontaler PowerMESH-Layoutstruktur kombiniert wurde. Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, der in silikonbasierten Leistungs-MOSFETs einmalig ist, wodurch sich das Gerät hervorragend für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistungsdichte und hohe Wirkungsgrade eignet.
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