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STD80N340K6

Name: STMicroelectronics STD80N340K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N340K6
Price: 3.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD80N340K6

Herst.- Nr.:

STD80N340K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STD80N340K6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.65 CHF	3.65 CHF
	2.41 CHF	24.10 CHF
	1.71 CHF	171.00 CHF
	1.46 CHF	730.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1.36 CHF	3 400.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	340 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	17.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	92 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.9 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD80N340K6 Datenblatt (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

STP80N240K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STP80N240K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der ultimativen MDmesh K6 Technologie, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STM in der Super-Junction-Technologie beruht. Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und eine hervorragende R_DS(on) x Fläche. Der 800-V-Leistungs-MOSFET STP80N240K6 bietet den besten On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung seiner Klasse für Applikationen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.