STD70N10F4

STMicroelectronics
511-STD70N10F4
STD70N10F4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A

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End-of-Life-Produkt :
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2.10 CHF 2.10 CHF
1.24 CHF 12.40 CHF
0.92 CHF 92.00 CHF
0.743 CHF 371.50 CHF
0.686 CHF 686.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0.649 CHF 1 622.50 CHF
0.641 CHF 3 205.00 CHF
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Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
19.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 20 ns
Serie: STD70N10F4
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Singapur
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET

The STMicroelectronics STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET uses an advanced technology tailored to minimizing on-state resistance, providing superior switching performance, and withstanding high energy pulse in avalanche and commutation mode. The STMicroelectronics STripFET DeepGATE Power MOSFET shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, and fewer critical alignment steps. This STMicroelectronics power MOSFET is a cost-effective, high efficiency solution for motor control applications.