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STD4N80K5

Name: STMicroelectronics STD4N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD4N80K5
Price: 1.74 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD4N80K5

Herst.- Nr.:

STD4N80K5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

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Datenblatt:

STD4N80K5 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.74 CHF	1.74 CHF
	1.12 CHF	11.20 CHF
	0.755 CHF	75.50 CHF
	0.601 CHF	300.50 CHF
	0.551 CHF	551.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.496 CHF	1 240.00 CHF
	0.451 CHF	2 255.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	10.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	STD4N80K5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16.5 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD4N80K5 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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