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STD26P3LLH6

Name: STMicroelectronics STD26P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD26P3LLH6
Price: 1.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD26P3LLH6

Herst.- Nr.:

STD26P3LLH6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI

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Datenblatt:

STD26P3LLH6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.48 CHF	1.48 CHF
	0.912 CHF	9.12 CHF
	0.633 CHF	63.30 CHF
	0.518 CHF	259.00 CHF
	0.465 CHF	465.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.401 CHF	1 002.50 CHF
	0.358 CHF	1 790.00 CHF
	0.344 CHF	3 440.00 CHF
	0.317 CHF	7 925.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	26 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	STD26P3LLH6
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD26P3LLH6 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs

STMicorelectronics STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™-Leistungs-MOSFET, der eine Trench-Technologie für einen hohen Wirkungsgrad und niedrigen R_DS(on) verwendet, die in verschiedenen Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen, wie z. B. Motorsteuerung, USV, DC/DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solarapplikationen erforderlich sind. Sie bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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