STD140N6F7

STMicroelectronics
511-STD140N6F7
STD140N6F7

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD Model:
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Preis (CHF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.82 CHF 1.82
CHF 1.17 CHF 11.70
CHF 0.789 CHF 78.90
CHF 0.63 CHF 315.00
CHF 0.596 CHF 596.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.523 CHF 1 307.50
CHF 0.515 CHF 2 575.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 68 ns
Serie: STD140N6F7
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 39 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 24 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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