STD120N4LF6

STMicroelectronics
511-STD120N4LF6
STD120N4LF6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

ECAD Model:
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1.50 CHF 15.00 CHF
1.03 CHF 103.00 CHF
0.833 CHF 416.50 CHF
0.782 CHF 782.00 CHF
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: STD120N4LF6
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Italien
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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