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STB41N40DM6AG

Name: STMicroelectronics STB41N40DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB41N40DM6AG
Price: 6.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB41N40DM6AG

Herst.- Nr.:

STB41N40DM6AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Datenblatt:

STB41N40DM6AG Datenblatt (PDF)

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	4.17 CHF	41.70 CHF
	3.04 CHF	304.00 CHF
	2.92 CHF	1 460.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2.74 CHF	2 740.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	400 V
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STB41N40DM6AG
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB41N40DM6AG Datenblatt (PDF)

EOL

Product Change Notification (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DM6 n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics DM6 n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Teil der MDmesh™ DM6 schnellen Freilaufdioden. Dieser automotive n-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Q_rr) und Erholungszeit (t_rr) in Kombination mit niedrigem R_DS(on). Der DM6 Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, niedrigen On-Widerstand, hohe dv/dt- Robustheit und Zener-Schutz. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich für die meisten anspruchsvollen, hocheffizienten Wandler und ist ideal für Brückentopologien und phasenverschobene ZVS-Wandler.