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STB18NF30

Name: STMicroelectronics STB18NF30
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NF30
Price: 2.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB18NF30

Herst.- Nr.:

STB18NF30

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

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Datenblatt:

STB18NF30 Datenblatt (PDF)

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.63	CHF 2.63
	CHF 1.71	CHF 17.10
	CHF 1.30	CHF 130.00
	CHF 1.02	CHF 510.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.891	CHF 891.00
	CHF 0.862	CHF 1 724.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	330 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STB18NF30
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB18NF30 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET II™ Leistungs-MOSFETs

Die STripFET II™ Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Ergebnis ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit Hochstromfähigkeit und niedrigem R_DS(on). Diese Leistungs-MOSFETS bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Die fortschrittliche Planartechnologie dieser STripFET™ Leistungs-MOSFET eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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