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STB18N60DM2

Name: STMicroelectronics STB18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18N60DM2
Price: 2.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB18N60DM2

Herst.- Nr.:

STB18N60DM2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

STB18N60DM2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.66 CHF	2.66 CHF
	1.73 CHF	17.30 CHF
	1.22 CHF	122.00 CHF
	1.05 CHF	525.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	0.95 CHF	950.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	260 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	90 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	STB18N60DM2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.5 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB18N60DM2 Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-17 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

STx24N60DM2 n-Kanal-, FDmesh II Plus™ Leistungs-MOSFETs

Die STMicroelectronics MDmesh DM2 -Serie ist STs neueste Serie von schnellen Freilaufdioden der 600V Leistungs-MOSFETs, die für ZVS-phasenverschobene Brückentopologien optimiert sind. Sie weisen eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung und -zeit (Qrr, trr) auf und zeigen einen um 20% niedrigeren R_DS(on), verglichen mit der vorhergehenden Generation. Hohe dV/dt-Robustheit (40V/ns) stellt eine verbesserte Systemzuverlässigkeit sicher.
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