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STB130N6F7

Name: STMicroelectronics STB130N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB130N6F7
Price: 2.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB130N6F7

Herst.- Nr.:

STB130N6F7

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

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Datenblatt:

STB130N6F7 Datenblatt (PDF)

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.08 CHF	2.08 CHF
	1.34 CHF	13.40 CHF
	0.912 CHF	91.20 CHF
	0.765 CHF	382.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	0.659 CHF	659.00 CHF
	0.586 CHF	1 172.00 CHF
	0.559 CHF	2 795.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	24 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	44 ns
Serie:	STB130N6F7
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	62 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB130N6F7 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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