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STB120N4LF6

Name: STMicroelectronics STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB120N4LF6
Price: 2.32 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB120N4LF6

Herst.- Nr.:

STB120N4LF6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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Datenblatt:

STB120N4LF6 Datenblatt (PDF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.32	CHF 2.32
	CHF 1.50	CHF 15.00
	CHF 1.04	CHF 104.00
	CHF 0.90	CHF 450.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.77	CHF 770.00
	CHF 0.706	CHF 1 412.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STB120N4LF6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB120N4LF6 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
Weitere Informationen

AEC-Q101-qualifizierte STripFET-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101-qualifizierte STripFET Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Trench-basierte Niederspannungstechnologie von ST, um extrem geringe Leitungsverluste zu erzielen. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren den Energieverlust für elektrische Antriebe, sorgen für einen höheren Wirkungsgrad und eignen sich dadurch für eine große Auswahl von Applikationen. Diese Bauteile sind in TO-252- und TO-263-Industriestandard-SMD-Gehäusen mit R_DS(on)-Bereichen von 3 mΩ bis 12,5 mΩ untergebracht und bieten eine gute Leistung in den meisten Niederspannungs-Fahrzeuganwendungen. Diese Produktreihe bietet sowohl Standard- als auch Logikpegel-Schwellwerte.