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SCTH100N65G2-7AG

Name: STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH100N65G2-7AG
Price: 24.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCTH100N65G2-7AG

Herst.- Nr.:

SCTH100N65G2-7AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

SCTH100N65G2-7AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	24.56 CHF	24.56 CHF
	17.97 CHF	179.70 CHF
	16.37 CHF	1 637.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	16.37 CHF	16 370.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.9 V
Qg - Gate-Ladung:	162 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	360 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	1,450 g

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Datenblatt

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.