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SCT070W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT070W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070W120G3-4AG
Price: 10.02 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT070W120G3-4AG

Herst.- Nr.:

SCT070W120G3-4AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt:

SCT070W120G3-4AG Datenblatt (PDF)

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	8.39 CHF	83.90 CHF
	6.33 CHF	633.00 CHF
	5.66 CHF	3 396.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	HiP-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	87 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	41 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	236 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	4.8 ns
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.5 ns

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Datenblatt

SCT070W120G3-4AG Datenblatt (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Italien
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCTW70N120G2V 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFET mit 91 A

Der STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1.200-V-SiC(Siliziumkarbid)-Leistungs-MOSFET mit 91 A verfügt über einen minimalen Einschaltwiderstand und eine sehr gute Schaltleistung, die aufgrund der fortschrittlichen, innovativen Eigenschaften von Breitbandlücken-Materialien nahezu temperaturunabhängig ist. Darüber hinaus bietet der SCTW70N120G2V eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode und eine extrem niedrige Gate-Ladung und niedrige Eingangskapazitäten. Ein hoher Temperaturbereich von 200 °C ermöglicht ein verbessertes thermisches Design von Leistungselektroniksystemen.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.