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SCT018HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018HU65G3AG
Price: 12.98 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT018HU65G3AG

Herst.- Nr.:

SCT018HU65G3AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

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Datenblatt:

SCT018HU65G3AG Datenblatt (PDF)

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	CHF 8.61	CHF 10 332.00
2 400	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HU3PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	-10 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	82.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	388 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	9.5 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29.5 ns