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MASTERGAN6TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN6TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN6TR
Price: 6.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN6TR

Herst.- Nr.:

MASTERGAN6TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

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Lebenszyklus:

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Datenblatt:

MASTERGAN6TR Datenblatt (PDF)

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6.81 CHF	6.81 CHF
	5.28 CHF	52.80 CHF
	4.90 CHF	122.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	4.90 CHF	14 700.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Driver
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-35
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	9 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Anstiegszeit:	4 ns
Abfallzeit:	4 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN6
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Entwicklungs-Kit:	EVLMG6
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	70 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	70 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Sperrzeit - Max.:	70 ns
Pd - Verlustleistung:	20 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	105 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	194 mg

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Datenblatt

MASTERGAN6TR Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.