EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Herst.:

Beschreibung:
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.

Auf Lager: 1

Lagerbestand:
1
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
26
Lieferzeit ab Hersteller:
52
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
55.26 CHF 55.26 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Marke: STMicroelectronics
Abmessungen: 56 mm x 79 mm
Verpackung: Bulk
Produkt-Typ: Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
Gewicht pro Stück: 100 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
TARIC:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Italien
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EVLSTDRIVEG212 Evaluierungsboard

Das Evaluierungsboard EVLSTDRIVEG212 von STMicroelectronics ist einfach zu nutzen, außerdem ist es schnell und geeignet für die Evaluierung der Eigenschaften des Bauteils STDRIVEG212, der zwei emode-GaN-Schalter mit 2,2 mΩ (typ.) und 100 V in einer Halbbrückenkonfiguration ansteuert. Das Bauteil STDRIVEG212 ist ein Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 220 V, der für den Betrieb von Enhanced-Mode-GaN-HEMTs mit 5 V optimiert ist. Es verfügt über getrennte Hochstrom-Sink-/Source-Gate-Ansteuerungs-Pins, integrierte LDOs, Unterspannung, Bootstrap-Diode, High-Side-Schnellstart, Übertemperatur, Fehler-/Abschalt-Pins und Standby, um Hard-Switching-Topologien in einem 4 mm x 5 mm großen QFN-Gehäuse vollständig zu unterstützen. Das Board EVLSTDRIVEG212 eignet sich auch zur Evaluierung der Funktionen des Bauteils STDRIVEG612.