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BU426A

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BU426A

Herst.:

STMicroelectronics

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-218
Transistorpolung:	NPN
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	6 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	400 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	10 V
Pd - Verlustleistung:	113 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BU426
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	30
DC Stromverstärkung hFE max.:	30
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors

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