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BD434

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-BD434

Herst.- Nr.:

BD434

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT PNP Medium Power

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

BD434 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-32-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	4 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	22 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	22 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	36 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	3 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BD434
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom:	4 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	40
DC Stromverstärkung hFE max.:	130
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	60 mg

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EOL

Power Bipolar Transistors & IGBTs Product Termination (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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