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TP65H070G4LSGEA-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGEA-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4LSGEAT
Price: 2.61 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H070G4LSGEAT

Herst.- Nr.:

TP65H070G4LSGEA-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

TP65H070G4LSGEA-TR Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Verpackung:	Reel
Produkt:	FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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ECCN:: EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.