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TP65H070G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4LSGBTR
Price: 6.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H070G4LSGBTR

Herst.- Nr.:

TP65H070G4LSGB-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Datenblatt:

TP65H070G4LSGB-TR Datenblatt

ECAD Model:

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	6.63 CHF	6.63 CHF
	4.50 CHF	45.00 CHF
	3.31 CHF	331.00 CHF
	3.23 CHF	1 615.00 CHF
	2.96 CHF	2 960.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	2.75 CHF	8 250.00 CHF

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.6 V
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.5 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	71 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns

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Datenblatt

TP65H070G4LSGB-TR Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

TP65H070G4LSGB 650 V SuperGaN®-GaN-FET

Der 650 V SuperGaN® Galliumnitrid (GaN) FET TP65H070G4LSGB von Renesas Electronics ist ein normalerweise ausgeschaltetes Bauelement mit 650 V und 70 mΩ, das eine überlegene Qualität und Leistung bietet. Der TP65H070G4LSGB kombiniert modernste Hochspannungs-GaN-HEMT- und Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien in einem 8 mm x 8 mm großen PQFN-Gehäuse. Dieses Bauteil arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und zeichnet sich durch einen maximalen Leistungsverlust von 96 W, einen maximalen Dauersenkenstrombereich von 18,4 A bis 29 A und einen gepulsten Drainstrom von 120 A (max.) aus. Die Gen IV SuperGaN® -Plattform nutzt fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien, um die Fertigung zu vereinfachen und gleichzeitig den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlusten und Sperrverzögerungsladung zu verbessern.