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TP65H050WS

Name: Renesas Electronics TP65H050WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050WS
Price: 15.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H050WS

Herst.- Nr.:

TP65H050WS

Herst.:

Renesas Electronics

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Vorauss. Zolltarif:

Herst.:

Renesas Electronics

Herst.- Nr.:

TP65H050G4WS

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.3 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	119 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	TP65H
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	86 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	51 ns
Gewicht pro Stück:	6 g